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真(zhen)空技術(shu)網 - 專業研(yan)究真(zhen)空、真(zhen)空技術(shu)及真(zhen)空泵等真(zhen)空設備(bei)的(de)真(zhen)空網。

  • 等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)技術基礎

    等離(li)子(zi)體增(zeng)強化(hua)(hua)學氣相沉積(PECVD)是借助微波或射頻等使含(han)有薄膜組成原子(zi)的氣體電離(li),在(zai)局(ju)部形成等離(li)子(zi)體,而(er)等離(li)子(zi)化(hua)(hua)學活性(xing)很強,很容易(yi)發生反應,在(zai)基片上沉積出所期望的薄膜。

  • 晶界“背脊”形貌對熱障涂層熱沖擊壽命的影響

    本文的(de)主要研究工作是采用(yong)化(hua)學氣(qi)相沉(chen)積(ji)(ji)和電子束(shu)物理(li)氣(qi)相沉(chen)積(ji)(ji)技術在鎳基單晶(jing)高溫合金(jin)上分別(bie)制(zhi)備(bei)鉑改性鋁化(hua)物涂層(ceng)(ceng)和陶瓷熱障(zhang)涂層(ceng)(ceng),開展粘結層(ceng)(ceng)表(biao)面晶(jing)界“背脊(ji)”形貌對熱障(zhang)涂層(ceng)(ceng)體系熱沖(chong)擊壽命的(de)影響行為(wei)和可能的(de)TBCs 剝

  • PVD鍍膜能夠鍍出的膜層的顏色種類

    PVD鍍(du)膜目(mu)前能夠做出的膜層的顏色(se)有深(shen)金(jin)黃色(se),淺金(jin)黃色(se),咖啡(fei)色(se),古銅色(se),灰色(se),黑色(se),灰黑色(se),七彩色(se)等(deng)。

  • 化學氣相沉積/原子層沉積銅前驅體的研究進展

    本文介紹了(le)利用化學(xue)氣(qi)相沉積技(ji)(ji)術與原子(zi)層沉積技(ji)(ji)術沉積銅薄膜(mo)(mo)工藝(yi)的研究;概述了(le)應(ying)用所述前驅體進行銅薄膜(mo)(mo)沉積的參數及所制備銅薄膜(mo)(mo)的導(dao)電(dian)性(xing)能。

  • 靶基距和錠料蒸發速率對沉積薄板厚度均勻性的影響

    本工作根(gen)據真空蒸(zheng)(zheng)鍍中小面源具(ju)有(you)(you)方向(xiang)性(xing)的(de)發(fa)射特性(xing),即余弦角(jiao)度分布規律,同(tong)(tong)時(shi)結(jie)合(he)EBPVD自身發(fa)射特點(dian),建立了(le)一個多錠料(liao)蒸(zheng)(zheng)發(fa)理(li)論模型,討論了(le)靶基距(ju)和(he)(he)不同(tong)(tong)坩堝(guo)蒸(zheng)(zheng)發(fa)速率對(dui)厚度均(jun)勻性(xing)和(he)(he)有(you)(you)效(xiao)蒸(zheng)(zheng)發(fa)效(xiao)率的(de)影響,并對(dui)實(shi)際沉

  • 不同頻率濺射沉積的新型耐磨二硼化釩涂層的結構及性能

    本文的主要目(mu)的就是選擇幾種不(bu)同頻率(lv)的電(dian)源制備(bei)VB2涂(tu)層,測試及比較不(bu)同頻率(lv)下制備(bei)出的新型VB2涂(tu)層的結構和性能。

  • CVD直接生長技術高效碳納米管鎳氫電池的研究

    采(cai)用(yong)熱化(hua)學氣(qi)相(xiang)沉積(ji)技術(CVD),在泡沫(mo)鎳(nie)表面直(zhi)接(jie)生長多壁碳納米(mi)管(MWNT),以(yi)此MWNT-泡沫(mo)鎳(nie)基底為電(dian)池集流體,并(bing)使用(yong)該基底、通過干粉末(mo)滾壓工藝制備鎳(nie)氫電(dian)池電(dian)極,對電(dian)池進(jin)行了一(yi)系列的充放電(dian)性能(neng)測(ce)試。

  • MPCVD法合成單晶金剛石的研究及應用進展

    本文簡(jian)介近年來(lai)MPCVD技術合成單晶金剛(gang)石的(de)研(yan)究進展,評述(shu)了(le)在該(gai)研(yan)究領域(yu)處于領先地位的(de)英美日等國有關公司(si)及(ji)研(yan)究機構所(suo)取(qu)得(de)的(de)成果,并對單晶金剛(gang)石的(de)應用前景作出了(le)展望。

  • 基于數字模擬的PECVD沉積氮化硅薄膜的工藝參數決策方法研究

    本文提出(chu)了(le)基(ji)于數(shu)字模擬的PECVD沉積(ji)氮(dan)化(hua)硅薄膜的工(gong)藝參數(shu)決策方(fang)法,綜合了(le)單因素試(shi)驗(yan)和(he)數(shu)字模擬的正交試(shi)驗(yan)設計兩種優化(hua)方(fang)法。

  • 大批量微細刀具HFCVD涂層制備的溫度場仿真與試驗分析

    本文以HFCVD沉(chen)積大批量微細刀(dao)具金剛(gang)石涂層系統(tong)為(wei)研究對(dui)象,利用有限(xian)容(rong)積法(fa)(fa)的(de)仿(fang)真(zhen)方法(fa)(fa),對(dui)影(ying)響基(ji)體(ti)溫度場(chang)的(de)多個工藝(yi)參數(shu)進行(xing)仿(fang)真(zhen)與分析,并(bing)提出(chu)優化設(she)計的(de)方案。

  • 固態碳源溫度對法CVD生長石墨烯薄膜影響的研究

    本文(wen)主要探索(suo)了(le)固態(tai)(tai)源溫度變(bian)化(hua)對石(shi)墨(mo)烯(xi)生長的影響,并采用(yong)固態(tai)(tai)源動態(tai)(tai)變(bian)溫的方法生長了(le)石(shi)墨(mo)烯(xi),有效提高了(le)所得(de)石(shi)墨(mo)烯(xi)薄(bo)膜的覆蓋(gai)率。

  • MPCVD法制備低粒徑納米金剛石薄膜的研究

    采用MPCVD法,以Ar/H2/CH4為氣源(yuan),探索較高濃度氬氣和(he)氣壓條件(jian)下低粒(li)徑納(na)米(mi)金剛石的制備(bei)工藝,并對生長的納(na)米(mi)金剛石膜(mo)的晶粒(li)尺寸,薄膜(mo)質(zhi)量,殘(can)余應力(li),表面形貌進行分析。

  • 微波等離子體化學氣相沉積超納米晶金剛石膜研究

    超納米(mi)晶金剛石(UNCD)在短(duan)毫(hao)米(mi)波特別(bie)是太赫茲(zi)真(zhen)空(kong)器件輸能窗中具有(you)潛在的(de)應用(yong)價值。本文介紹了UNCD膜的(de)制備工藝和(he)性能表征。

  • MPCVD工藝參數對石墨烯性能影響的研究

    實(shi)驗采用MPCVD裝(zhuang)置,以氫氣(qi)和甲烷為(wei)(wei)主要氣(qi)源,氮氣(qi)和氬(ya)氣(qi)為(wei)(wei)輔助氣(qi)源在鎳片上生長石(shi)墨烯薄膜,并對不同條件(jian)下制備樣(yang)品進行拉曼光(guang)譜(pu)儀(yi)表征。

  • 微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)法在碳纖維上制備碳納米管

    利用微(wei)波等離子(zi)體化學氣相沉積(MPCVD)法在(zai)碳纖維上(shang)(shang)制(zhi)備了(le)碳納(na)米管,并在(zai)此(ci)基礎上(shang)(shang)系統地研究了(le)微(wei)波功率、反應時間(jian)、催化劑前驅體的(de)吸附時間(jian)以(yi)及吸附濃(nong)度對碳納(na)米管生長的(de)影(ying)響。

  • 聚碳酸酯表面碳基薄膜的制備及其光學性能研究

    本文采(cai)用RFPECVD技術在(zai)PC材(cai)料(liao)表面沉積DLC薄(bo)膜(mo),研究(jiu)DLC薄(bo)膜(mo)和PC基片系統的摩擦學和光學性能。

  • 正交電磁場離子源及其在PVD 法制備硬質涂層中的應用

    本文(wen)介紹(shao)幾種不同類型的(de)(de)正交電(dian)磁場離(li)子源,并結合其(qi)(qi)在(zai)不同體系硬質(zhi)涂(tu)層(ceng)沉積過程中的(de)(de)應用,綜述離(li)子源的(de)(de)結構、工作原(yuan)理;分析其(qi)(qi)產生的(de)(de)離(li)子束對(dui)硬質(zhi)涂(tu)層(ceng)成分、結構、性能(neng)的(de)(de)影響。

  • CO2對MPCVD制備金剛石膜的影響研究

    應用微波等離子體化學(xue)氣相沉積(ji)(MPCVD)技術,以CH4/H2/N2為主(zhu)要氣源,通過添加CO2輔助氣體,并與未(wei)添加CO2輔助氣體進行(xing)對(dui)比,進行(xing)了(le)金(jin)剛石(shi)膜沉積(ji)。

  • MPCVD法制備石墨烯的研究進展

    文章首先通過(guo)分析(xi)比較得出(chu)了制(zhi)備(bei)石(shi)墨(mo)烯的(de)幾種主(zhu)要方法(fa)的(de)優(you)缺點,重點強調了微波等離子體化學(xue)氣相沉積(MPCVD)法(fa)制(zhi)備(bei)石(shi)墨(mo)烯的(de)優(you)勢。

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