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推薦磁控濺射鐵磁性靶材的主要方法

由于磁(ci)(ci)控(kong)濺(jian)射(she)鐵(tie)磁(ci)(ci)性(xing)靶(ba)材(cai)(cai)的難點是靶(ba)材(cai)(cai)表(biao)面(mian)的磁(ci)(ci)場達不(bu)到正(zheng)常磁(ci)(ci)控(kong)濺(jian)射(she)時要求的磁(ci)(ci)場強(qiang)度(du),因此解決的思路是增加鐵(tie)磁(ci)(ci)性(xing)靶(ba)材(cai)(cai)表(biao)面(mian)剩磁(ci)(ci)的強(qiang)度(du)。

  • 直流磁控濺射輝光等離子體的Langmuir靜電探針診斷

    電子溫度隨著離靶面距離增大而遞(di)減;電子密度在(zai)徑向(xiang)和軸向(xiang)均存在(zai)波動(dong);電子能量(liang)主要分布在(zai)0 eV~5 eV范圍(wei)內,高(gao)能電子占比例極少.

  • 非平衡磁控濺射沉積TiN/Ti-O復合薄膜機械性能研究

    利用(yong)非平衡磁控濺射設備,采用(yong)四種不同的TiN到Ti-O的過渡方式,在Si(100)和Ti6A14V基體(ti)上制(zhi)備了TiN/Ti-O薄(bo)膜。

  • 濺射角度對氧化鉻薄膜性能結構的影響

    硬質涂(tu)層對工件表(biao)面(mian)改性(xing)(xing)已經成為(wei)現代先進制造加工行業越(yue)來越(yue)重(zhong)視的工藝,工件一般為(wei)復雜(za)外形,保證(zheng)工件表(biao)面(mian)涂(tu)層性(xing)(xing)能結(jie)構的一致(zhi)性(xing)(xing)尤為(wei)重(zhong)要。

  • 輔助離子束功率密度對透明塑料上室溫磁控濺射沉積ITO薄膜結構和形貌的影響

    基(ji)于雙極脈沖(chong)磁控(kong)濺射復合離子束輔助沉積的(de)新工藝,在透明塑(su)料(liao)聚碳酸酯基(ji)片(pian)上,常溫制備了透明導電的(de)銦錫氧化物(ITO)薄膜.重(zhong)點研究(jiu)了不同輔助離子束功率密(mi)度(du)對(dui)ITO薄膜晶體結構和表面形貌的(de)影響。

  • 磁控濺射鐵磁性靶材的主要方法

    由于磁(ci)控濺射(she)鐵磁(ci)性靶材的(de)難點是靶材表面的(de)磁(ci)場達不(bu)到正常磁(ci)控濺射(she)時要求的(de)磁(ci)場強度,因此(ci)解(jie)決的(de)思路是增加鐵磁(ci)性靶材表面剩(sheng)磁(ci)的(de)強度。

  • 合金膜的濺射沉積方法

    為使濺(jian)(jian)射系統所(suo)用(yong)靶(ba)的數量減少,盡(jin)量用(yong)一個靶(ba)就能濺(jian)(jian)射沉積制取符合(he)(he)成分及(ji)(ji)性能要(yao)求的合(he)(he)金(jin)薄膜,可以采(cai)(cai)用(yong)合(he)(he)金(jin)靶(ba)、復合(he)(he)鑲嵌靶(ba)、以及(ji)(ji)采(cai)(cai)用(yong)多靶(ba)濺(jian)(jian)射等(deng)。

  • 非對稱脈沖磁控濺射的工作原理

    脈沖磁控(kong)濺射(she)一般(ban)使用矩形波(bo)電壓(ya),由(you)于(yu)所用的(de)脈沖波(bo)形是非對稱(cheng)性的(de),因此得名為(wei)非對稱(cheng)脈沖磁控(kong)濺射(she)。

  • 磁控濺射中電磁場分布二維模擬

    本文采用計算機FORTRAN語言自主編程,通(tong)過建立通(tong)電線(xian)圈(quan)磁(ci)場的數學模型,對(dui)磁(ci)控濺射靶(ba)附(fu)近由通(tong)電線(xian)圈(quan)產(chan)生的磁(ci)場分布進行了二維數值(zhi)模擬計算。

  • 射頻磁控濺射法ZnO薄膜制備工藝的優化

    在采用射(she)(she)頻磁(ci)控(kong)濺射(she)(she)在Si 和玻璃襯(chen)底上(shang)制備單層ZnO 薄膜時,薄膜會受到濺射(she)(she)功率、襯(chen)底溫度、氧氬(ya)比以(yi)及(ji)(ji)工作氣壓等的影(ying)響。本文中將詳細討論這(zhe)些因素對ZnO薄膜晶體質量,應力以(yi)及(ji)(ji)光學(xue)性能的影(ying)響。

  • 氧分壓對直流磁控濺射IGZO薄膜特性的影響

    本文(wen)采(cai)用直流磁控(kong)濺射技術,在室溫下(xia)通過改變氧分壓的(de)工藝條件制備了IGZO 薄膜,系(xi)統性的(de)分析了氧分壓對(dui)薄膜的(de)物相結構(gou)、表面形貌(mao)、元素結合(he)能(neng)及電學(xue)與光學(xue)等特(te)性的(de)影響。

  • 沉積溫度對磁控濺射制備V-Al-Si-N硬質涂層結構及性能的影響

    本文利(li)用磁控(kong)濺射(she)(she)的方法通過改變(bian)基片(pian)溫度(du)制備了不同沉(chen)積溫度(du)的V-Al-Si-N涂層(ceng),并(bing)利(li)用X射(she)(she)線衍射(she)(she)(XRD) 、掃描電鏡(SEM) 、納米壓痕儀和摩擦磨損試驗(yan)機對涂層(ceng)的結構及性能進行了分(fen)析。

  • 固體潤滑軸承用9Cr18不銹鋼離子注入與磁控濺射改性真空摩擦學研究

    為了(le)提高空間(jian)固體潤(run)滑滾動(dong)軸(zhou)承耐磨壽命,采用全方位(wei)離(li)子注入和磁控濺(jian)射技(ji)術對空間(jian)固體潤(run)滑軸(zhou)承用9Cr18材料進(jin)行耐磨減(jian)摩表面改性研究。

  • 偏壓對磁控濺射制備Ni摻雜TiB2基涂層結構及力學性能的影響

    本(ben)文采用(yong)中(zhong)頻和(he)(he)射頻電源(yuan)的(de)(de)雙靶磁控濺(jian)射設備通過改(gai)變基(ji)片偏(pian)壓制備了(le)不(bu)同偏(pian)壓的(de)(de)TiB2-Ni涂(tu)層。對所制備的(de)(de)涂(tu)層進行了(le)結(jie)構(gou)和(he)(he)性(xing)(xing)能(neng)的(de)(de)研究,探討了(le)偏(pian)壓對其生長(chang)結(jie)構(gou),以及硬度(du)、斷裂韌(ren)性(xing)(xing)、膜(mo)基(ji)結(jie)合力(li)和(he)(he)摩擦學等方(fang)面的(de)(de)性(xing)(xing)能(neng)。

  • 高溫鋁液中TiAlN硬鍍層失效機理研究

    本文(wen)以H13鋼基體上的磁(ci)控(kong)濺射TiAlN鍍層(ceng)(ceng)為研(yan)究對象,通過鍍層(ceng)(ceng)在高溫鋁液中長時間浸蝕后對表面、截面形貌變化和成分分析等途徑(jing),探討硬質鍍層(ceng)(ceng)在高溫鋁液中的失效(xiao)機理(li)。

  • 大曲率球形基底表面膜厚均勻性的實現

    針對球形(xing)基(ji)底膜厚均(jun)勻(yun)性問(wen)題,提出了(le)(le)一種(zhong)新的(de)(de)思(si)路,設(she)(she)計改造(zao)了(le)(le)一種(zhong)新型布局(ju)的(de)(de)磁控濺(jian)射設(she)(she)備,以解決大曲率球形(xing)基(ji)底外表面(mian)膜層的(de)(de)均(jun)勻(yun)性問(wen)題。

  • 復合高功率脈沖磁控濺射放電等離子體特性

    本文采用脈(mo)沖與直流電(dian)(dian)(dian)源并聯模式的復合(he)HIPIMS,針對Ti、Cr靶研(yan)究脈(mo)沖電(dian)(dian)(dian)壓對復合(he)HIPIMS 過程中(zhong)的靶電(dian)(dian)(dian)壓、靶電(dian)(dian)(dian)流、電(dian)(dian)(dian)子密(mi)度(Ne)、電(dian)(dian)(dian)子溫度(Te)、等(deng)離(li)子體電(dian)(dian)(dian)勢(Vs)以(yi)及基體電(dian)(dian)(dian)流等(deng)微(wei)觀參數(shu)的影(ying)響。

  • 沉積時間對磁控濺射法制備寬禁帶半導體薄膜材料ZnS物性及光學性質的影響

    本文用磁控濺(jian)射法(fa)制備了(le)(le)(le)ZnS薄膜(mo),并對薄膜(mo)的(de)物理性質(zhi)(zhi)及光學性質(zhi)(zhi)進行了(le)(le)(le)細致的(de)研究(jiu)。為ZnS薄膜(mo)材料的(de)進一步應用,提供了(le)(le)(le)實驗依(yi)據(ju)。

  • 不同相結構Ti33Al67靶材磁控濺射薄膜對比研究

    本文(wen)研究了一(yi)種成分相(xiang)同,而相(xiang)結構完全(quan)不(bu)同的(de)Ti33Al67靶(ba)材(cai)沉積(ji)(ji)薄(bo)膜(mo)的(de)性能(neng),從微觀(guan)角(jiao)度探討了兩種靶(ba)材(cai)沉積(ji)(ji)薄(bo)膜(mo)性能(neng)產生差(cha)異(yi)的(de)原因。

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